Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon hat auf dem VLSI Symposium in Hawaii gemeinsam mit IBM den bisher leistungsfähigsten Prototypen dieses revolutionären Speicherchips vorgestellt: Den ersten 16-Mbit-Magnetoresistive-RAM-Prototypen (MRAM). MRAM-Chips speichern die Informationen mit einer magnetischen Ladung und nicht mehr, wie herkömmliche Speicherchips in elektrischen Ladungen. Während die Arbeitsspeicher von Computern bislang ständig unter Strom gehalten werden müssen, bleiben die Informationen auf MRAM-Speichern auch nach dem Ausschalten erhalten, vergleichbar mit der Festplatte eines Rechners. Zudem sind sie sehr schnell und erlauben damit den nahezu unmittelbaren Zugriff auf das Speichermedium. Zum Vergleich: Im Gegensatz zu den bisher in USB-Sticks, Pocket-Computern oder Digitalkameras verwendeten nicht-flüchtigen Flash-Speichern, ist der 16-Mbit-MRAM-Chip von Infineon etwa 1000-mal schneller. Überdies kann man in einer MRAM Speicherzelle bis zu 1 Million-mal öfter Informationen speichern als bei Flash-Bausteinen. ...