Wissenschaftler der Physikalischen-Technischen Bundesanstalt (PTB) in Braunschweig haben eine Methode entwickelt, mit der die neuen Speicherchips "MRAM" (Magnetic Random Access Memory) beschleunigt werden können. Im Gegensatz zu den bisherigen Computerspeicherchips "DRAM" und "SRAM" (Dynamic und Static Random Access Memory) können "MRAM" Informationen auch dann speichern, wenn zwischenzeitlich der Strom abgestellt wird. Ihr Nachteil: Sie hinken in der Geschwindigkeit den alten Chips hinterher. Das Forscherteam rund um Hans Werner Schumacher von der PTB hat nun eine Lösung gefunden, die Performance der "denkenden" Chips zu erhöhen ...